Silicon Carbide Silicon Column

Силиконовый кремниевый колонна карбина

Реакция спехая кремниевый карбид (rb - sic) - это высокий - производительность керамического материала, приготовленного с помощью процесса спекания реакции инфильтрации кремния (Si), высокой твердости, высокой термической проводимостью, низким тепловым выражением, превосходной коррозионной устойчивостью и высокой температурной стабильностью ...

Отправить запрос

Теперь говорите

Бесплатно

Керамическая пластинка из карбина кремния

Описание

Описание продуктов

Реакция спехая кремниевым карбидом (rb - sic) представляет собой высокий - Керамический материал, приготовленный с помощью кремния (Si) слияния, процесса спекания, характеризуется высокой твердостью, высокой термопроводностью, низким термическим выражением, превосходной коррозионной резистентностью и высокой температурной стабильностью. Столп SI является ключевой микроструктурой в RB - SIC, которые напрямую влияют на его механические и тепловые свойства.

RB - SIC Силиконовые столбы являются основной структурной особенностью, придающей материалу как высокую плотность, так и прочность, а также вызов коррозионной стойкости. Благодаря оптимизации композиции и обработке поверхности RB - SIC продемонстрировал уникальные преимущества в полупроводнике, оптике и энергетических приложениях, и дальнейшие прорывы ожидаются в экстремальных приложениях окружающей среды в будущем.

Кремниевые карбидные колонны кремния представляют собой фазы кремния (Si), которые существуют в столбчатой форме в кремниевой карбидной матрице, обычно встречающейся в реакции, спеченном кремниевом карбиде (rb - sic) или SIC - Si Composites. Образование кремниевых колонн тесно связано с процессом подготовки материала и оказывает важное влияние на конечные свойства.

Кремниевые карбидные колонны кремнезема являются ключевыми структурными особенностями композитов, таких как Rb - sic, которые улучшают вязкость и термическую стабильность материала и позы. Благодаря оптимизации процессов и модификации поверхности материалы SIC, содержащие кремниевые колонны, имеют широкие перспективы применения в полупроводнике, оптике, энергии и других областях. В будущем, с развитием нанотехнологий и 3D -печати, точная настройка кремниевых столбов еще больше усилит пределы производительности материалов SIC.

Детали продукта

Название продукта	Силиконовый кремниевый колонна карбина
Цвет	Адаптируется в соответствии с требованиями клиента
размер	Адаптируется в соответствии с требованиями клиента
Упаковка	Картон /поддон /деревянный чехол (в соответствии с требованиями клиента)
Срок поставки	Стандартный продукт - в течение 3 дней
Предметы дизайн	В соответствии с рисунком или образцами клиента
Функции	Хорошее качество, низкая цена, несколько заводов, поставьте вам на основе самого ближайшего к вашему местоположению
Приложение	Промышленная керамика
Сертификат	ISO, CE

Типичное применение

1. СПОСКОЛЬНАЯ ИНТЕРУКА

Диски полировки пластин (ESCS): кремниевые столбы обеспечивают прочность и снижают риск хрупкого разрыва.
Компоненты Etcher: устойчивые к коррозии плазмы, в 3 раза больше срока службы, чем al₂o₃

2.Optics & Lasers:

Космический телескоп зеркал Заготовки: Низкие тепловые искажения для больших, легких оптических конструкций (например, зеркала резервного копирования JWST).
High - энергетические лазерные зеркала: теплопроводность кремниевых столбов помогает рассеять тепло и предотвратить тепловое искажение.

3. Высокая температурная отрасль:

Мебель керамической печи (толкающие пластины, роликовые стержни): сопротивление теплового шока из кремниевых колонн лучше, чем чистый SIC, а продолжительность жизни увеличивается на 30%.
Облажание химического реактора: коррозионная устойчивость кислоты и щелочи (необходима обработка поверхности).

4. Ядерная энергия и аэрокосмическая промышленность:

Пробирки ядерного топлива (фаза исследований): кремниевые столбы для повышения прочности и устойчивости к облучению нейтронов.
Rocket motor nozzle: resistance to high temperature gas washout (transient >2000 градусов).

Будущие тенденции развития

Nano - SI Column Modulation: уточнить размер столбцов Si с помощью источников углерода Nano (например, углеродные нанотрубки) для улучшения механических свойств.
3D -печать SIC - Структур Si: для достижения направленного распределения кремниевых столбов и оптимизации термических/силовых свойств.
Приложения ядерного слияния: в качестве плазмы - ориентированный материал (PFM), самостоятельно - целительные свойства кремниевых столбов представляют интерес.

Параметры продуктов

Число	Производительность	Единица	Силиконовый карбид	Силиконовый карбид
			Силиконовый карбид	Силиконовый карбид
			Сиси	Sic
1	Плотность	G/см3	3.05	3.0-3.1
2	Прочность на гибкость	MPA	250	450-500
3	Прочность перелома	MPA · M1/2	4	4
4	Диэлектрическая постоянная	εr (20 градусов, 1 МГц)	9~10	9~10
5	Твердость	Средний балл	20	24
6	Твердость	HRC	85	87
7	Объемный удельное сопротивление	Ω · см (20 градусов)	10-2~1012	10-2~103
8	Эластичный модуль	Средний балл	330	400-410
9	Коэффициент термического расширения	×10-6/k	4.5	4.1
10	Прочность на сжатие	MPA	550	2500
11	Ссадины	G/см2	0.01	0.01
12	Теплопроводность	W/m × k (20 градусов)	45	84-160
13	Соотношение Пуассона	/	0.16	0.16
14	Сила изоляции	кВ/мм		100
15	Температура	степень	1380	1600