Кремниевая колонна из карбида кремния

Реакционно-спеченный карбид кремния (RB-SiC) — это высокоэффективный-керамический материал, полученный методом реакционного спекания с инфильтрацией кремния (Si), характеризующийся высокой твердостью, высокой теплопроводностью, низким тепловым расширением, превосходной коррозионной стойкостью и высокой температурной стабильностью...

Отправить запрос

Теперь говорите

Бесплатно

Керамическая вафельная лодка из карбида кремния

Описание

Описание продукции

Карбид кремния (часто сокращенно SiC и известный на других языках как Siliziumcarbid, Carburo de Silicio или Carbure de Silicium) — это универсальный современный материал. В контексте производства полупроводников слитки карбида кремния относятся к цилиндрическому монокристаллическому карбиду кремния, полученному с помощью методов выращивания кристаллов, таких как метод физического переноса паров (PVT). Для электронных приложений этот процесс требует материалов-прекурсоров сверх-высокой чистоты для выращивания слитков определенных политипов (например, 4H-SiC и 6H-SiC), причем уровни чистоты часто достигают 4N (99,99%) и 5N (99,999%) для высокопроизводительных-устройств. Напротив, для промышленной керамики спеченный карбид кремния или карбид кремния, связанный реакцией, производятся из порошков более низкой -чистоты для таких компонентов, как механические уплотнения. Монокристаллические слитки служат исходным материалом для изготовления подложек (пластин) карбида кремния. После нарезки, шлифовки и полировки эти слитки становятся базовой подложкой для производства полупроводниковых чипов. Карбид кремния — это широкозонный-полупроводниковый и керамический материал третьего поколения, характеристики которого намного превосходят характеристики традиционного кремния. Он особенно подходит для экстремальных условий эксплуатации, связанных с высокой температурой, высоким напряжением, высокой частотой и большой мощностью. Этот материал существует в различных формах, таких как альфа-карбид кремния, кубический карбид кремния и распространенные политипы 4H-SiC и 6H-SiC, используемые в электронике.

Подробности о продукте

Название продукта	Кремниевая колонна из карбида кремния
Цвет	Настраивается в соответствии с требованиями клиента
размер	Настраивается в соответствии с требованиями клиента
Упаковка	Картонная коробка/поддон/деревянный корпус (согласно требованию клиента)
Срок поставки	Стандартный продукт-В течение 3 дней
Дизайн предметов	По чертежу или образцам клиента
Функции	Хорошее качество, низкая цена, несколько заводов, доставка осуществляется в зависимости от ближайшего к вам завода.
Приложение	Промышленная керамика
Сертификат	ИСО, CE

Silicon Carbide Silicon Column

Ключевые параметры производительности и свойства материала

Основные рабочие параметры и свойства карбида кремния как для электронного, так и для промышленного применения являются исключительными:

Ширина запрещенной зоны: карбид кремния имеет широкую запрещенную зону, составляющую примерно 3,2 электронвольта (эВ) (для основного политипа 4H-SiC), что примерно в три раза больше, чем у кремния (1,1 эВ). Широкая запрещенная зона означает, что устройства SiC могут стабильно работать при более высоких температурах с чрезвычайно низкой концентрацией собственных носителей, что значительно снижает риск тока утечки. Достижение этой оптимальной производительности требует использования карбида кремния высокой-чистоты (например, 4N, 5N) для минимизации электрически активных примесей.
Теплопроводность: Карбид кремния обладает превосходной теплопроводностью, примерно 3,7-4,9 Вт/(см·К), что намного выше, чем у кремния. Это свойство имеет решающее значение для нагревательных элементов из карбида кремния, трубок из карбида кремния, используемых в качестве защитных трубок для термопар, а также для управления теплом в силовых устройствах.
Напряженность поля пробоя и электрические свойства: SiC имеет очень высокую напряженность электрического поля пробоя, около 2,8 МВ/см. Это позволяет создавать эффективные и компактные силовые устройства. Его возможности также распространяются на использование керамических пластин и листов из карбида кремния для сложных условий эксплуатации. Реализованная прочность на прорыв сильно зависит от чистоты материала и качества кристаллов.
Механическая и химическая стабильность: Карбид кремния обладает чрезвычайной твердостью (~9 по шкале Мооса), высокой плотностью и высокой износостойкостью. Эти свойства карбидокремниевого материала делают его идеальным для механических уплотнений, подшипников, сопел, втулок и накладок из карбида кремния. Его химическая инертность позволяет использовать его в тиглях из карбида кремния, а также для нанесения покрытий из карбида кремния с помощью CVD или других методов.

типичное приложение

Благодаря этим выдающимся свойствам материалы, полученные из карбида кремния, используются для производства высокотехнологичных-силовых полупроводниковых приборов и широкого спектра промышленных керамических компонентов.

Транспортные средства на новых источниках энергии и силовая электроника: это крупнейший растущий рынок. Полупроводниковые подложки SiC (полученные из слитков 4N/5N высокой-чистоты) используются в инверторах и преобразователях. Такие поставщики, как Infineon, Wolfspeed и CREE, являются ключевыми игроками. Промышленные детали из SiC-керамики также встречаются в сопутствующих системах.
Промышленные и технологические процессы: используется для изготовления износостойкой-керамики, уплотнений и подшипников из карбида кремния, сопел, карбидокремниевых кирпичей и огнеупоров, а также компонентов насосов и клапанов. Поставщики и производители карбида кремния поставляют эти спеченные или реакционно-связанные детали, которые обычно не требуют электронной-чистоты.
Новая энергия и ее хранение. В фотоэлектрических инверторах и системах хранения SiC-устройства (основанные на подложках высокой-чистоты) повышают эффективность. Нагревательные элементы и защитные трубки из карбида кремния используются в высокотемпературных промышленных печах.
Аэрокосмическая, оборонная и передовые-передовые технологии: благодаря своей высокой-температурной устойчивости и структурной стабильности он используется для композитов карбида кремния, оптических компонентов и брони.

Параметры продукции

products parameters

Контроль качества

Строго следуя системе управления качеством ISO 9001, мы реализуем полный-контроль качества процессов, чтобы гарантировать стабильную поставку продукции-высокого качества:

• 100% проверка сырья, гарантирующая качество от источника
• Использование современных производственных линий горячего-прессования для обеспечения стабильных и надежных процессов.
• Комплексная собственная-система тестирования, охватывающая анализ плотности, твердости и микроструктуры.
• Наличие авторитетных сертификатов-третьих сторон (включая SGS, CE, ROHS и т. д., предоставляемые по запросу).

Мы по-прежнему стремимся к постоянному совершенствованию нашей системы управления, предоставляя клиентам последовательную и надежную гарантию качества продукции.

quality control